¹¹B对热中子的吸收截面较小，主要应用于半导体制造行业。天然丰度高纯BF，气体是贵和锗外延、扩散和离子注入过程的P型掺杂源，也可用作等离子刻蚀气体。由于天然丰度BF₃气体中的¹⁰B易与热中子等高能粒子反应，导致集成电路芯片出现故障。因此，随着半导体产业的发展，不仅对BF₃的纯度要求高，还对其中¹¹B丰度提出了更高的要求。