由于¹¹B对热中子的吸收截面较小的性质，是半导体芯片材料的优质掺杂剂、扩散剂。¹¹B作为掺杂剂可以使得硅离子布置紧密，用于制造集成电路、高密度的微型芯片，且对提高半导体器件的抗辐射干扰能力有良好作用。利用氢硼-11核聚变产生的无中子高能α源，既用于可控核聚变研究，又用于癌症的治疗。
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由于¹¹B对热中子的吸收截面较小的性质，是半导体芯片材料的优质掺杂剂、扩散剂。¹¹B作为掺杂剂可以使得硅离子布置紧密，用于制造集成电路、高密度的微型芯片，且对提高半导体器件的抗辐射干扰能力有良好作用。利用氢硼-11核聚变产生的无中子高能α源，既用于可控核聚变研究，又用于癌症的治疗。
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